Өмнө үзсэн хэлхээг ахин авч үзье.
Ачааллыг холбосон утасны дотоод багтаамж нь C0=10pF ба коллекторын диодны урвуу холболтын дотоод багтаамж Cc=4pF гэж өгөгдсөн байг.
Тэгвэл гаралтын буюу коллекторын хэлхээн дэх bypass багтаамжийг тооцсон нам давтамжийг нэвтрүүлэгчийн критик давтамж:
Харин 2N3904 транзисторыг сонгон авсан бол түүний datasheet-ээс дараах параметрүүдийг мэдэж болно.
Тэгвэл эдгээрийг ашиглан шууд холболтын үеийн эмиттерийн диодны дотоод багтаамж ба баазын эсэргүүцлийг тооцоолж болно.
Эмиттерийн диодны шууд холболтын үеийн дотоод багтаамж ба баазын дотоод эсэргүүцлийг мэдсэнээр оролтын хэлхээ болох баазын хэлхээн дэх bypass багтаамжийг тооцсон нам давтамжийг нэвтрүүлэгчийн критик давтамжийг олж болно.
Ингээд оролт, гаралт, эмиттерийн хэлхээн дэх өндөр давтамжийг нэвтрүүлэгчийн критик давтамжуудыг олж хамгийн их давтамжийг сонговол:
Мөн оролт гаралтын хэлхээн дэх нам давтамжийг нэвтрүүлэгчийн критик давтамжуудыг олж хамгийн бага давтамжийг сонговол:
Ингээд энэхүү өсгөгчийн давтамжийн характеристикийг зурвал:
